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TPN1R603PL,L1Q(M
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 80 A, 1200 µohm, TSON, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
產品訊息
製造商TOSHIBA
製造商產品編號TPN1R603PL,L1Q(M
訂購代碼3872560
其他名稱TPN1R603PL, TPN1R603PL,L1Q
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance1200µohm
Transistor Case StyleTSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
1200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000066