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TW083Z65C,S1F(S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 30 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$507.360 |
| 5+ | NT$424.100 |
| 10+ | NT$340.850 |
| 50+ | NT$326.950 |
| 100+ | NT$313.050 |
| 250+ | NT$306.790 |
價格Each
最少: 1
多項: 1
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產品訊息
製造商TOSHIBA
製造商產品編號TW083Z65C,S1F(S
訂購代碼4247126
其他名稱TW083Z65C, TW083Z65C,S1F
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.083ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation111W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.083ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
111W
Product Range
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00655