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SI1070X-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 1.2 A, 0.099 ohm, SC-89, Surface Mount
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI1070X-T1-GE3
訂購代碼3772736
Product RangeTrench
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1.2A
Drain Source On State Resistance0.099ohm
Transistor Case StyleSC-89
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max1.55V
Power Dissipation236mW
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench
Qualification-
SVHCTo Be Advised
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技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.2A
Transistor Case Style
SC-89
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
236mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.099ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.55V
No. of Pins
6Pins
Product Range
Trench
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000236