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SI1302DL-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 640 mA, 0.48 ohm, SC-70, Surface Mount
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI1302DL-T1-E3
訂購代碼1470156RL
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id640mA
Drain Source On State Resistance0.48ohm
Transistor Case StyleSC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation310mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
SI1302DL-T1-E3 的替代選擇
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產品總覽
The SI1302DL-T1-E3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- -55 to 150°C Operating temperature range
應用
Industrial, Power Management
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
640mA
Transistor Case Style
SC-70
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
310mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.48ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0001