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SI2314EDS-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 4.9 A, 0.033 ohm, TO-236, Surface Mount
不再生產
產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI2314EDS-T1-E3
訂購代碼1470104RL
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.9A
Drain Source On State Resistance0.033ohm
Transistor Case StyleTO-236
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation750mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SI2314EDS-T1-E3 的替代選擇
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The SI2314EDS-T1-E3 is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for LI-ion battery protection applications.
- 3000V ESD protected
- -55 to 150°C Operating temperature range
應用
Industrial, Power Management, Portable Devices
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.9A
Transistor Case Style
TO-236
Rds(on) Test Voltage
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation
750mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0001