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SI2328DS-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-23, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$47.610 | NT$47.61 |
| 總計 價格 | NT$47.61 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$47.610 |
| 10+ | NT$29.980 |
| 100+ | NT$19.840 |
| 500+ | NT$15.500 |
| 1000+ | NT$12.320 |
| 5000+ | NT$11.530 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI2328DS-T1-E3
訂購代碼
複捲式1470107RL
條帶式包裝1470107
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id1.5A
Drain Source On State Resistance0.25ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation730mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
產品總覽
The SI2328DS-T1-E3 is a 100V N-channel TrenchFET® Power MOSFET.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
應用
Power Management
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.5A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
730mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.25ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0001