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SI2337DS-T1-E3
Power MOSFET, P Channel, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, TO-236, Surface Mount
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI2337DS-T1-E3
訂購代碼2101436
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id2.2A
Drain Source On State Resistance0.27ohm
Transistor Case StyleTO-236
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation760mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The SI2337DS-T1-E3 is a 80VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- -55 to 150°C Operating temperature range
應用
Industrial, Power Management
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.2A
Transistor Case Style
TO-236
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
760mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.27ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000091