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SI4463BDY-T1-E3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 9.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$82.060 | NT$82.06 |
| 總計 價格 | NT$82.06 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$82.060 |
| 10+ | NT$52.860 |
| 100+ | NT$36.110 |
| 500+ | NT$30.890 |
| 1000+ | NT$28.220 |
| 5000+ | NT$25.770 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI4463BDY-T1-E3
訂購代碼
複捲式1497616RL
條帶式包裝1497616
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id9.8A
Drain Source On State Resistance0.011ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max1.4V
Power Dissipation1.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
SI4463BDY-T1-E3 的替代選擇
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產品總覽
The SI4463BDY-T1-E3 is a 2.5VGS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- -55 to 150°C Operating temperature range
應用
Industrial, Power Management
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
9.8A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.011ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00032