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SI4946BEY-T1-E3.
DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, SOIC
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可供訂購
製造商標準交貨時間：8 週
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$63.660 |
| 50+ | NT$57.010 |
| 100+ | NT$52.260 |
| 250+ | NT$47.510 |
| 500+ | NT$42.440 |
| 1000+ | NT$37.690 |
| 2500+ | NT$35.160 |
| 5000+ | NT$33.570 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 1
多項: 1
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI4946BEY-T1-E3.复制
製造商標準前置時間8 週
訂購代碼2119944
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel6.5A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.033ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.4W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
6.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.033ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.4W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:No SVHC (10-Jun-2022)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000255