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SI7850DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 6.2 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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| 5+ | NT$59.520 |
| 50+ | NT$50.370 |
| 100+ | NT$41.210 |
| 500+ | NT$32.120 |
| 1500+ | NT$31.480 |
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最少: 5
多項: 5
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI7850DP-T1-GE3
訂購代碼2646395
Product RangeTrenchFET
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id6.2A
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation1.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.2A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000151