列印頁面
SI8802DB-T2-E1
Power MOSFET, N Channel, 8 V, 3.5 A, 0.054 ohm, MICRO FOOT, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
35 有存貨
3,000 即日起您可預購補貨
35 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$21.050 |
| 10+ | NT$12.960 |
| 100+ | NT$8.260 |
| 500+ | NT$6.290 |
| 1000+ | NT$5.840 |
| 5000+ | NT$5.410 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 5
多項: 5
NT$105.25
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI8802DB-T2-E1
訂購代碼3772796
Product RangeTrench
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id3.5A
Drain Source On State Resistance0.054ohm
Transistor Case StyleMICRO FOOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max350mV
Power Dissipation900mW
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.5A
Transistor Case Style
MICRO FOOT
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
8V
Drain Source On State Resistance
0.054ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
350mV
No. of Pins
4Pins
Product Range
Trench
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001