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SIA527DJ-T1-GE3
Dual MOSFET, N and P Channel, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm
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| 500+ | NT$8.180 |
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最少: 5
多項: 5
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIA527DJ-T1-GE3
訂購代碼3772807
Product RangeTrenchFET Series
技術資料表
Channel TypeN and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel12V
Drain Source Voltage Vds P Channel12V
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.024ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.024ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel7.8W
Power Dissipation P Channel7.8W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
12V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.024ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
7.8W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
12V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.024ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Power Dissipation N Channel
7.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001