列印頁面
SIE810DF-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 236 A, 1400 µohm, PolarPAK, Surface Mount
可供訂購
預計在訂單確認後配送。將會在出貨時向您收費。
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$123.930 |
| 10+ | NT$87.710 |
| 100+ | NT$72.160 |
| 500+ | NT$65.480 |
| 1000+ | NT$61.330 |
價格Each
最少: 1
多項: 1
NT$123.93
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIE810DF-T1-E3
訂購代碼1497642
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id236A
Drain Source On State Resistance1400µohm
Transistor Case StylePolarPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.3V
Power Dissipation125W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
236A
Transistor Case Style
PolarPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
1400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.3V
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SIE810DF-T1-E3 的替代選擇
找到 1 個產品
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00099