列印頁面
SIHD180N60E-GE3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 19 A, 0.195 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
1,994 有存貨
需要更多？
1994 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$72.730 |
| 10+ | NT$61.620 |
| 25+ | NT$59.680 |
| 100+ | NT$50.520 |
| 250+ | NT$49.130 |
| 500+ | NT$45.240 |
| 1000+ | NT$43.220 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 1
多項: 1
NT$72.73
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIHD180N60E-GE3
訂購代碼3019079
Product RangeE
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id19A
Drain Source On State Resistance0.195ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation156W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
19A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.195ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
SIHD180N60E-GE3 的替代選擇
找到 1 個產品
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001