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SIR462DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 30 A, 7900 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$69.160 | NT$69.16 |
| 總計 價格 | NT$69.16 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$69.160 |
| 10+ | NT$43.980 |
| 100+ | NT$29.360 |
| 500+ | NT$23.160 |
| 1000+ | NT$18.610 |
| 5000+ | NT$18.540 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIR462DP-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式2335399RL
條帶式包裝2335399
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance7900µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation41.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
產品總覽
The SIR462DP-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for high-side switch, server, VRM, POL and DC-to-DC conversion applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
應用
Industrial, Power Management
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
41.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
7900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
SIR462DP-T1-GE3 的替代選擇
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000223