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SIRS5800DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 265 A, 1800 µohm, PowerPAK SO-8S, Surface Mount
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製造商VISHAY
製造商產品編號SIRS5800DP-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式4205152RL
條帶式包裝4205152
Product RangeTrenchFET Gen V Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$150.960 | NT$150.96 |
| 總計 價格 | NT$150.96 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$150.960 |
| 10+ | NT$99.290 |
| 100+ | NT$70.250 |
| 500+ | NT$59.440 |
| 1000+ | NT$58.260 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIRS5800DP-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式4205152RL
條帶式包裝4205152
Product RangeTrenchFET Gen V Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id265A
Drain Source On State Resistance1800µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation240W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
265A
Transistor Case Style
PowerPAK SO-8S
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
240W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
1800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000074