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SISD5110DN-T1-UE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 55 A, 0.0095 ohm, PowerPAK 1212-F, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SISD5110DN-T1-UE3
訂購代碼4588052
Product RangeTrenchFET Gen V Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id55A
Drain Source On State Resistance0.0095ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-F
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation57W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
55A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
57W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0095ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Taiwan
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Taiwan
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001