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SISS63DN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 127.5 A, 2700 µohm, PowerPAK 1212-8S, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SISS63DN-T1-GE3
訂購代碼3280624
Product RangeTrenchFET Gen III
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id127.5A
Drain Source On State Resistance2700µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation65.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
127.5A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8S
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
2700µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen III
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000123