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SISS76LDN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 70 V, 67.4 A, 6250 µohm, PowerPAK 1212-8S, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商VISHAY
製造商產品編號SISS76LDN-T1-GE3复制
製造商標準前置時間53 週
訂購代碼
複捲式3586062RL
條帶式包裝3586062
Product RangeTrenchFET Gen IV
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$72.620 | NT$72.62 |
| 總計 價格 | NT$72.62 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$72.620 |
| 10+ | NT$46.610 |
| 100+ | NT$31.310 |
| 500+ | NT$24.900 |
| 1000+ | NT$23.520 |
| 5000+ | NT$22.140 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SISS76LDN-T1-GE3复制
製造商標準前置時間53 週
訂購代碼
複捲式3586062RL
條帶式包裝3586062
Product RangeTrenchFET Gen IV
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds70V
Continuous Drain Current Id67.4A
Drain Source On State Resistance6250µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation57W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
67.4A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8S
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
57W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
70V
Drain Source On State Resistance
6250µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001