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SQ2310CES-T1_GE3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 6 A, 0.03 ohm, SOT-23, Surface Mount
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
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| 500+ | NT$7.090 |
| 1000+ | NT$5.460 |
| 5000+ | NT$5.020 |
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SQ2310CES-T1_GE3
訂購代碼4260741RL
Product RangeTrenchFET Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation2W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (07-Nov-2024)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000002