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SQ4401EY-T1_GE3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 17.3 A, 0.014 ohm, SOIC, Surface Mount
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| 數量 | 價格 |
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SQ4401EY-T1_GE3
訂購代碼3470707RL
Product RangeTrenchFET
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id17.3A
Drain Source On State Resistance0.014ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation7.14W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
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技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
17.3A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
7.14W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.014ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0001