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SQD23N06-31L_GE3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 23 A, 0.031 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$77.830 |
| 10+ | NT$50.360 |
| 100+ | NT$34.350 |
| 500+ | NT$27.350 |
| 1000+ | NT$21.860 |
| 5000+ | NT$21.830 |
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SQD23N06-31L_GE3
訂購代碼3772861
Product RangeTrenchFET
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id23A
Drain Source On State Resistance0.031ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation37W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (21-Jan-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
23A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
37W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.031ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Taiwan
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Taiwan
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001