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SQJ152EP-T1_GE3
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 114 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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製造商VISHAY
製造商產品編號SQJ152EP-T1_GE3复制
製造商標準前置時間43 週
訂購代碼
複捲式3765815RL
條帶式包裝3765815
Product RangeTrenchFET Gen IV
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$52.690 | NT$52.69 |
| 總計 價格 | NT$52.69 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$52.690 |
| 10+ | NT$33.240 |
| 100+ | NT$22.090 |
| 500+ | NT$17.330 |
| 1000+ | NT$13.780 |
| 5000+ | NT$13.260 |
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SQJ152EP-T1_GE3复制
製造商標準前置時間43 週
訂購代碼
複捲式3765815RL
條帶式包裝3765815
Product RangeTrenchFET Gen IV
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id114A
Drain Source On State Resistance5100µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation136W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (21-Jan-2025)
產品總覽
- Automotive N-channel 40V (D-S) 175°C MOSFET
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- AEC-Q101 qualified
- 100 % Rg and UIS tested
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
114A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
136W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
5100µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001