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SQJ479EP-T1"GE3
MOSFET, P-CH, 80V, 32A, POWERPAKSO
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$63.830 |
| 10+ | NT$40.870 |
| 100+ | NT$27.290 |
| 500+ | NT$21.580 |
| 1000+ | NT$17.360 |
| 5000+ | NT$17.160 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 1
多項: 1
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SQJ479EP-T1"GE3复制
製造商標準前置時間23 週
訂購代碼4753035
Product RangeTrenchFET Series
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id32A
Drain Source On State Resistance0.033ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation68W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
32A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
68W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
To Be Advised
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000454