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SQJQ160E-T1"GE3
MOSFET, N-CH, 60V, 602A, POWERPAK
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| 數量 | 價格 |
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| 1+ | NT$153.970 |
| 10+ | NT$79.390 |
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| 500+ | NT$62.420 |
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SQJQ160E-T1"GE3复制
製造商標準前置時間37 週
訂購代碼4755281
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id602A
Drain Source On State Resistance850µohm
Transistor Case StylePowerPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation600W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
602A
Transistor Case Style
PowerPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
600W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
850µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
4Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
To Be Advised
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000596