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SUD19N20-90-E3
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| 10+ | NT$52.850 |
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SUD19N20-90-E3
訂購代碼1470144
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id19A
Drain Source On State Resistance0.09ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
產品總覽
The SUD19N20-90-E3 is a 200VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for primary side switch applications.
- 100% Rg tested
- PWM optimized
- 175°C Junction temperature
應用
Industrial, Power Management
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
19A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.09ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000488