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SUM60020E-GE3
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 150 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$125.630 |
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SUM60020E-GE3
訂購代碼3131949
Product RangeTrenchFET
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id150A
Drain Source On State Resistance2100µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation375W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
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警告
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技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
150A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
2100µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001