列印頁面
SUP60020E-GE3
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 150 A, 2400 µohm, TO-220AB, Through Hole
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
842 有存貨
需要更多？
842 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$132.940 |
| 10+ | NT$65.330 |
| 100+ | NT$62.370 |
| 500+ | NT$59.420 |
| 1000+ | NT$53.510 |
價格Each
最少: 1
多項: 1
NT$132.94
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SUP60020E-GE3
訂購代碼3131950
Product RangeTrenchFET
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id150A
Drain Source On State Resistance2400µohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation375W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
產品總覽
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
150A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
2400µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.004158