列印頁面
產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIHB11N80AE-GE3
訂購代碼
複捲式3517212RL
條帶式包裝3517212
Product RangeE
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.45ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation78W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
78W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.45ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
SIHB11N80AE-GE3 的替代選擇
找到 1 個產品
法規與環境保護
原產地:
承擔產品生產最後程序之國家原產地:China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地:China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定:是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤):.00035