列印頁面
WMSC008H12B2P6T
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 157 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, WeEnPACK-B2
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
70 有存貨
需要更多？
70 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$2,783.840 |
| 5+ | NT$2,435.850 |
| 10+ | NT$2,018.280 |
| 50+ | NT$1,839.240 |
價格Each
最少: 1
多項: 1
NT$2,783.84
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商產品編號WMSC008H12B2P6T
訂購代碼4697774
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id157A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.013ohm
Transistor Case StyleWeEnPACK-B2
No. of Pins36Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation272W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
157A
Drain Source On State Resistance
0.013ohm
No. of Pins
36Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
WeEnPACK-B2
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
272W
Product Range
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001