列印頁面
WNSC2M1K0170B7J
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 7.5 A, 1.7 kV, 1.2 ohm, TO-263
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
576 有存貨
需要更多？
576 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$89.450 |
| 10+ | NT$62.440 |
| 100+ | NT$57.330 |
| 500+ | NT$52.230 |
| 1000+ | NT$47.130 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 1
多項: 1
NT$89.45
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商產品編號WNSC2M1K0170B7J
訂購代碼4697779
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id7.5A
Drain Source Voltage Vds1.7kV
Drain Source On State Resistance1.2ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation91W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
7.5A
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.7kV
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
91W
Product Range
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001