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CAS120M12BM2
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 193 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, Module
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產品訊息
製造商WOLFSPEED
製造商產品編號CAS120M12BM2
訂購代碼2630836
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id193A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.013ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
Power Dissipation925W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
CAS120M12BM2 的替代選擇
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應用
Medical
警告
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技術規格
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
193A
Drain Source On State Resistance
0.013ohm
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
2.6V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
925W
Product Range
-
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.345637