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XP3P010M
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 13.3 A, 0.01 ohm, SOIC, Surface Mount
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$27.510 |
| 10+ | NT$17.100 |
| 100+ | NT$11.100 |
| 500+ | NT$10.270 |
| 1000+ | NT$9.450 |
| 5000+ | NT$9.060 |
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多項: 1
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產品訊息
製造商YAGEO XSEMI
製造商產品編號XP3P010M
訂購代碼4168949
Product RangeXP3P010 Series
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id13.3A
Drain Source On State Resistance0.01ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeXP3P010 Series
Qualification-
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
13.3A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.01ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
XP3P010 Series
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Taiwan
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Taiwan
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001