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XP6NA6R5H
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 66 A, 6500 µohm, TO-252, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
產品訊息
製造商YAGEO XSEMI
製造商產品編號XP6NA6R5H
訂購代碼4168978RL
Product RangeXP6NA6R5 Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id66A
Drain Source On State Resistance6500µohm
Transistor Case StyleTO-252
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation2W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeXP6NA6R5 Series
Qualification-
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
66A
Transistor Case Style
TO-252
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
6500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
XP6NA6R5 Series
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Taiwan
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Taiwan
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001