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DS1230AB-120IND+
Nonvolatile SRAM (NVSRAM), 256Kbit, 32K x 8bit, 120ns Read/Write, Parallel, 4.75V to 5.25V, EDIP-28
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| 12+ | NT$947.000 |
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產品訊息
製造商產品編號DS1230AB-120IND+
訂購代碼2909692
技術資料表
Memory Density256Kbit
Memory Configuration32K x 8bit
Read Access Time120ns
Write Access Time120ns
Supply Voltage Min4.75V
Supply Voltage Max5.25V
IC Case / PackageeDIP
No. of Pins28Pins
InterfacesParallel
IC MountingThrough Hole
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
產品總覽
附註
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技術規格
Memory Density
256Kbit
Read Access Time
120ns
Supply Voltage Min
4.75V
IC Case / Package
eDIP
Interfaces
Parallel
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Memory Configuration
32K x 8bit
Write Access Time
120ns
Supply Voltage Max
5.25V
No. of Pins
28Pins
IC Mounting
Through Hole
Operating Temperature Max
85°C
MSL
-
技術文件 (1)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85423245
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.017236