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SSM6N17FU(TE85L,F)
Dual MOSFET, N Channel, 50 V, 100 mA, 40 ohm
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商TOSHIBA
製造商產品編號SSM6N17FU(TE85L,F)复制
製造商標準前置時間16 週
訂購代碼
複捲式4415945RL
條帶式包裝4415945
其他名稱SSM6N17FU, SSM6N17FU(TE85L
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$14.560 | NT$72.80 |
| 總計 價格 | NT$72.80 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$14.560 |
| 10+ | NT$6.410 |
| 100+ | NT$5.720 |
| 500+ | NT$5.020 |
| 1000+ | NT$3.730 |
| 5000+ | NT$2.660 |
品項附註
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產品訊息
製造商TOSHIBA
製造商產品編號SSM6N17FU(TE85L,F)复制
製造商標準前置時間16 週
訂購代碼
複捲式4415945RL
條帶式包裝4415945
其他名稱SSM6N17FU, SSM6N17FU(TE85L
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel50V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel100mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel40ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleUS6
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel200mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds N Channel
50V
Continuous Drain Current Id N Channel
100mA
Drain Source On State Resistance N Channel
40ohm
Transistor Case Style
US6
Power Dissipation N Channel
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Japan
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Japan
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000006