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SSM6L35FE,LM(T
Dual MOSFET, N and P Channel, 20 V, 20 V, 180 mA, 100 mA, 3 ohm
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商TOSHIBA
製造商產品編號SSM6L35FE,LM(T复制
製造商標準前置時間18 週
訂購代碼
複捲式4387195RL
條帶式包裝4387195
其他名稱SSM6L35FE, SSM6L35FE,LM
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$5.570 | NT$27.85 |
| 總計 價格 | NT$27.85 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$5.570 |
| 50+ | NT$4.860 |
| 250+ | NT$3.640 |
| 1000+ | NT$3.540 |
| 2000+ | NT$3.440 |
品項附註
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產品訊息
製造商TOSHIBA
製造商產品編號SSM6L35FE,LM(T复制
製造商標準前置時間18 週
訂購代碼
複捲式4387195RL
條帶式包裝4387195
其他名稱SSM6L35FE, SSM6L35FE,LM
技術資料表
Channel TypeN and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel180mA
Continuous Drain Current Id P Channel100mA
Drain Source On State Resistance N Channel3ohm
Drain Source On State Resistance P Channel8ohm
Transistor Case StyleSOT-563
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel150mW
Power Dissipation P Channel150mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
技術規格
Channel Type
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
100mA
Drain Source On State Resistance P Channel
8ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
150mW
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
180mA
Drain Source On State Resistance N Channel
3ohm
Transistor Case Style
SOT-563
Power Dissipation N Channel
150mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000003