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SIS9122DN-T1-GE3
Dual MOSFET, Dual N Channel, 100 V, 7.1 A, 0.16 ohm
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商VISHAY
製造商產品編號SIS9122DN-T1-GE3复制
訂購代碼
複捲式4349354RL
條帶式包裝4349354
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$57.890 | NT$289.45 |
| 總計 價格 | NT$289.45 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$57.890 |
| 10+ | NT$36.550 |
| 100+ | NT$23.870 |
| 500+ | NT$20.830 |
| 1000+ | NT$17.690 |
| 5000+ | NT$14.820 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIS9122DN-T1-GE3复制
訂購代碼
複捲式4349354RL
條帶式包裝4349354
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
技術資料表
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel7.1A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.16ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StylePowerPAK 1212
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel17.8W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
7.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.16ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation N Channel
17.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000013