列印頁面
XP3832CMT
Dual MOSFET, Dual N Channel, 30 V, 27 A, 3500 µohm
200 有存貨
需要更多？
200 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$58.010 | NT$58.01 |
| 總計 價格 | NT$58.01 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$58.010 |
| 10+ | NT$37.120 |
| 100+ | NT$24.890 |
| 500+ | NT$23.810 |
| 1000+ | NT$23.460 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商YAGEO XSEMI
製造商產品編號XP3832CMT复制
製造商標準前置時間36 週
訂購代碼
複捲式4169016RL
條帶式包裝4169016
技術資料表
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel27A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel3500µohm
Transistor Case StylePMPAK
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.27W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
技術規格
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Transistor Case Style
PMPAK
Power Dissipation N Channel
2.27W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
27A
Drain Source On State Resistance N Channel
3500µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Taiwan
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Taiwan
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001