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NTMFWS1D5N08XT1G
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 253 A, 1430 µohm, DFNW-EP, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$135.490 | NT$135.49 |
| 總計 價格 | NT$135.49 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$135.490 |
| 10+ | NT$88.600 |
| 100+ | NT$63.700 |
| 500+ | NT$54.660 |
| 1000+ | NT$48.830 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NTMFWS1D5N08XT1G复制
製造商標準前置時間54 週
訂購代碼
複捲式4305075RL
條帶式包裝4305075
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id253A
Drain Source On State Resistance1430µohm
Transistor Case StyleDFNW-EP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
Power Dissipation194W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
253A
Transistor Case Style
DFNW-EP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
194W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
1430µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.6V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00001