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FF1000UXTR23T2M1BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 1.33 kA, 2.3 kV, 0.00119 ohm, Module
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號FF1000UXTR23T2M1BPSA1复制
製造商標準前置時間28 週
訂購代碼4802735
Product RangeXHP 2 Series
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id1.33kA
Drain Source Voltage Vds2.3kV
Drain Source On State Resistance0.00119ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins15Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product RangeXHP 2 Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
1.33kA
Drain Source On State Resistance
0.00119ohm
No. of Pins
15Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.15V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
2.3kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
-
Product Range
XHP 2 Series
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:3A228.c
EU ECCN:3A228.c
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001