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IMBG120R181M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
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製造商INFINEON
製造商產品編號IMBG120R181M2HXTMA1复制
製造商標準前置時間54 週
訂購代碼
條帶式包裝4376967
條帶式包裝4376967RL
Product RangeCoolSiC Mosfet 1200V G2
其他名稱IMBG120R181M2H, SP005825859
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$186.900 |
| 10+ | NT$124.820 |
| 100+ | NT$89.250 |
| 500+ | NT$81.490 |
| 1000+ | NT$75.990 |
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多項: 1
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產品訊息
製造商INFINEON
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製造商標準前置時間54 週
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條帶式包裝4376967
條帶式包裝4376967RL
Product RangeCoolSiC Mosfet 1200V G2
其他名稱IMBG120R181M2H, SP005825859
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id14.9A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.1814ohm
Transistor Case StyleTO-263HV
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation94W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Mosfet 1200V G2
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
14.9A
Drain Source On State Resistance
0.1814ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263HV
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
94W
Product Range
CoolSiC Mosfet 1200V G2
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001