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WNSC2M40120B76J
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 86.3 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
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製造商產品編號WNSC2M40120B76J复制
製造商標準前置時間26 週
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複捲式4697781RL
條帶式包裝4697781
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$275.410 | NT$275.41 |
| 總計 價格 | NT$275.41 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$275.410 |
| 5+ | NT$180.450 |
| 10+ | NT$172.350 |
| 50+ | NT$164.240 |
| 100+ | NT$156.130 |
| 250+ | NT$153.010 |
品項附註
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產品訊息
製造商產品編號WNSC2M40120B76J复制
製造商標準前置時間26 週
訂購代碼
複捲式4697781RL
條帶式包裝4697781
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id86.3A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.045ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation500W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
86.3A
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
500W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：待通知
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001