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UJ4SC075008L8S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 106 A, 750 V, 8.6 mohm, MO-299
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號UJ4SC075008L8S复制
製造商標準前置時間28 週
訂購代碼4221986
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id106A
Drain Source Voltage Vds750V
Drain Source On State Resistance8.6mohm
Transistor Case StyleMO-299
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation600W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
106A
Drain Source On State Resistance
8.6mohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
750V
Transistor Case Style
MO-299
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
600W
Product Range
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001