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NVH4L070N120M3S
Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 29 A, 1.2 kV, 0.0648 ohm, TO-247
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NVH4L070N120M3S复制
製造商標準前置時間1 週
訂購代碼4143116
技術資料表
MOSFET Module Configuration-
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0648ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.37V
Power Dissipation163W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
技術規格
MOSFET Module Configuration
-
Continuous Drain Current Id
29A
Drain Source On State Resistance
0.0648ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.37V
Operating Temperature Max
175°C
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
163W
Product Range
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00831