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BSS138DWQ-13
Dual MOSFET, N Channel, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 3.5 ohm
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$20.270 | NT$101.35 |
| 總計 價格 | NT$101.35 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$20.270 |
| 10+ | NT$12.610 |
| 100+ | NT$8.040 |
| 500+ | NT$6.060 |
| 1000+ | NT$5.710 |
| 5000+ | NT$4.300 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商DIODES INC.
製造商產品編號BSS138DWQ-13复制
製造商標準前置時間43 週
訂購代碼
複捲式3944011RL
條帶式包裝3944011
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel50V
Drain Source Voltage Vds P Channel50V
Continuous Drain Current Id N Channel200mA
Continuous Drain Current Id P Channel200mA
Drain Source On State Resistance N Channel3.5ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel200mW
Power Dissipation P Channel200mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
50V
Continuous Drain Current Id P Channel
200mA
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
200mW
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
50V
Continuous Drain Current Id N Channel
200mA
Drain Source On State Resistance N Channel
3.5ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001