列印頁面
DMC2041UFDB-7
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.04 ohm
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
2,053 有存貨
需要更多？
2053 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$21.220 | NT$21.22 |
| 總計 價格 | NT$21.22 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$21.220 |
| 10+ | NT$16.800 |
| 100+ | NT$11.870 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商DIODES INC.
製造商產品編號DMC2041UFDB-7
訂購代碼
複捲式3680111RL
條帶式包裝3680111
技術資料表
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel4.7A
Continuous Drain Current Id P Channel4.7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.04ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.09ohm
Transistor Case StyleU-DFN2020
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.4W
Power Dissipation P Channel1.4W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.09ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.4W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.04ohm
Transistor Case Style
U-DFN2020
Power Dissipation N Channel
1.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000121