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DMC3021LSDQ-13
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.021 ohm
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$39.850 | NT$199.25 |
| 總計 價格 | NT$199.25 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$39.850 |
| 10+ | NT$24.760 |
| 100+ | NT$16.140 |
| 500+ | NT$12.430 |
| 1000+ | NT$12.190 |
| 5000+ | NT$11.940 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商DIODES INC.
製造商產品編號DMC3021LSDQ-13复制
製造商標準前置時間43 週
訂購代碼
複捲式3944039RL
條帶式包裝3944039
技術資料表
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel8.5A
Continuous Drain Current Id P Channel8.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.021ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.039ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.5W
Power Dissipation P Channel2.5W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
8.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.039ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.5W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
8.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.021ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001