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DMC67D8UFDBQ-7
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 60 V, 60 V, 390 mA, 390 mA, 4 ohm
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$32.550 | NT$162.75 |
| 總計 價格 | NT$162.75 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$32.550 |
| 10+ | NT$17.230 |
| 100+ | NT$14.870 |
| 500+ | NT$13.190 |
| 1000+ | NT$4.280 |
| 5000+ | NT$4.190 |
品項附註
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產品訊息
製造商DIODES INC.
製造商產品編號DMC67D8UFDBQ-7复制
訂購代碼
複捲式3680112RL
條帶式包裝3680112
技術資料表
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel390mA
Continuous Drain Current Id P Channel390mA
Drain Source On State Resistance N Channel4ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.072ohm
Transistor Case StyleU-DFN2020
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel890mW
Power Dissipation P Channel890mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
390mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.072ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
890mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
390mA
Drain Source On State Resistance N Channel
4ohm
Transistor Case Style
U-DFN2020
Power Dissipation N Channel
890mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000121