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DMG1012T-13
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$10.350 | NT$51.75 |
| 總計 價格 | NT$51.75 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$10.350 |
| 10+ | NT$6.290 |
| 100+ | NT$3.960 |
| 500+ | NT$2.880 |
| 1000+ | NT$2.270 |
| 5000+ | NT$2.230 |
品項附註
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產品訊息
製造商DIODES INC.
製造商產品編號DMG1012T-13复制
製造商標準前置時間43 週
訂購代碼
複捲式3943476RL
條帶式包裝3943476
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id630mA
Drain Source On State Resistance0.3ohm
Transistor Case StyleSOT-523
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation280mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
630mA
Transistor Case Style
SOT-523
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
280mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001